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MRFE6VS25NR1

更新时间： 2024-02-08 01:37:35

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管光电二极管局域网
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24页	1302K
描述
RF Power LDMOS Transistor

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MRFE6VS25NR1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最小漏源击穿电压：	133 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDFM-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	25 W	最小功率增益 (Gp)：	24.5 dB
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

MRFE6VS25NR1 数据手册

Document Number: MRFE6VS25N

Rev. 0, 6/2012

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power LDMOS Transistor

High Ruggedness N--Channel

Enhancement--Mode Lateral MOSFET

MRFE6VS25NR1

RF power transistor designed for both narrowband and broadband ISM,

broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to

2000 MHz. This device is fabricated using Freescale’s enhanced ruggedness

platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are

encountered.

1.8--2000 MHz, 25 W, 50 V

WIDEBAND

Typical Performance: V = 50 Volts

RF POWER LDMOS TRANSISTOR

(W)

Frequency

(MHz)

(dB)

(%)

IMD

(dBc)

out

Signal Type

(1)

1.8 to 30

Two--Tone

25 PEP

-- 3 0

(10 kHz spacing)

512

Pulse (100 μsec,

25 Peak

25.4

74.5

—

20% Duty Cycle)

512

25.5

22.5

74.7

—

T O -- 2 7 0 -- 2

PLASTIC

1030

1. The values shown are the minimum measured performance numbers across the

indicated frequency range.

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency

(MHz)

(W)

Test

Voltage

out

Signal Type

VSWR

Result

Gate

Drain

512

1030

>65:1

at all Phase

Angles

(3 dB

Overdrive)

No Device

Degradation

Pulse

(100 μsec, 20%

Duty Cycle)

31 Peak

(3 dB

Overdrive)

(Top View)

30.5

(3 dB

Overdrive

Note: The backside of the package is the

source terminal for the transistor.

Figure 1. Pin Connections

(3 dB

Overdrive

Features

•

Wide Operating Frequency Range

Extremely Rugged

Unmatched, Capable of Very Broadband Operation

Integrated Stability Enhancements

Low Thermal Resistance

Extended ESD Protection Circuit

In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 24 mm Tape Width, 13 inch Reel.

MRFE6VS25NR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

12 3 4 5 6 7...24

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与MRFE6VS25NR1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRFE8VP8600H	NXP	MRFE8VP8600H	获取价格
MRFE8VP8600HS	NXP	140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor	获取价格
MRFF959T1	NXP	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, SC-90, 3 PIN	获取价格
MRFG35002N6AT1	FREESCALE	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor	获取价格
MRFG35002N6T1	FREESCALE	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor	获取价格
MRFG35002N6T1_08	FREESCALE	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor	获取价格

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