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MRF1518NT1

更新时间： 2024-02-28 04:32:57
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器PC
页数 文件大小 规格书
18页 718K
描述
RF Power Field Effect Transistor

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MRF1518NT1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.1Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：Released2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/11362750.1.3.png
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=11362750PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=11362750
3D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=11362750Samacsys PartID：11362750
Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/MRF1518NT1.jpgSamacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MRF1518NT1.jpg
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：MRF1518NT1-3
Samacsys Released Date：2020-04-12 21:26:15Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PQSO-N4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：62.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF1518NT1 数据手册

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Document Number: MRF1518N  
Rev. 9, 9/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistor  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET  
MRF1518NT1  
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-  
cies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device  
make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 12.5 volt  
mobile FM equipment.  
• Specified Performance @ 520 MHz, 12.5 Volts  
Output Power — 8 Watts  
520 MHz, 8 W, 12.5 V  
LATERAL N-CHANNEL  
BROADBAND  
Power Gain — 11 dB  
D
Efficiency — 55%  
• Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5 Vdc,  
RF POWER MOSFET  
520 MHz, 2 dB Overdrive  
Features  
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal  
Impedance Parameters  
G
• Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier  
Information Available Upon Request  
• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.  
CASE 466-03, STYLE 1  
PLD-1.5  
S
• Available in Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm,  
7 Inch Reel.  
PLASTIC  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
-0.5, +40  
20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DSS  
V
GS  
Drain Current — Continuous  
I
4
D
(1)  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
62.5  
0.50  
W
W/°C  
C
D
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
Table 2. Thermal Characteristics  
T
- 65 to +150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
J
(2)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Table 3. Moisture Sensitivity Level  
Test Methodology  
R
2
°C/W  
θ
JC  
Rating  
Package Peak Temperature  
Unit  
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020  
1
260  
°C  
T
T
C
J –  
1. Calculated based on the formula P  
=
D
R
θJC  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access  
the MTTF calculators by product.  
NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
1234567...18

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