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477KXM063M

更新时间： 2024-02-22 06:44:14

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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19页	1190K
描述
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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477KXM063M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.93	Is Samacsys：	N
电容：	470 µF	电容器类型：	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
直径：	16 mm	介电材料：	ALUMINUM (WET)
ESR：	282.2 m Ω	JESD-609代码：	e3
漏电流：	0.296 mA	长度：	26.5 mm
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	负容差：	20%
端子数量：	2	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装形状：	CYLINDRICAL PACKAGE
封装形式：	Radial	极性：	POLARIZED
正容差：	20%	额定（直流）电压（URdc）：	63 V
纹波电流：	1224 mA	系列：	KXM
表面贴装：	NO	Delta切线：	0.08
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子节距：	8 mm
端子形状：	WIRE	Base Number Matches：	1

477KXM063M 数据手册

Document Number: MRF6V2300N

Rev. 5, 4/2010

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

MRF6V2300NR1

MRF6V2300NBR1

Designed primarily for CW large--signal output and driver applications with

frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in

industrial, medical and scientific applications.

•

Typical CW Performance: V_DD= 50 Volts, I_DQ= 900 mA,

10--600 MHz, 300 W, 50 V

LATERAL N--CHANNEL

SINGLE--ENDED

BROADBAND

RF POWER MOSFETs

_out= 300 Watts, f = 220 MHz

Power Gain — 25.5 dB

Drain Efficiency — 68%

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 300 Watts CW

Output Power

Features

•

Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

CASE 1486--03, STYLE 1

T O -- 2 7 0 W B -- 4

Qualified Up to a Maximum of 50 V_DDOperation

Integrated ESD Protection

PLASTIC

MRF6V2300NR1

225°C Capable Plastic Package

RoHS Compliant

In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

CASE 1484--04, STYLE 1

T O -- 2 7 2 W B -- 4

PLASTIC

MRF6V2300NBR1

PARTS ARE SINGLE--ENDED

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

--0.5, +110

--0.5, +10

-- 65 to +150

150

Unit

Vdc

°C

RF /V

in GS

RF /V

out DS

Drain--Source Voltage

DSS

Gate--Source Voltage

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

stg

RF /V

in GS

RF /V

out DS

°C

(1,2)

225

°C

(Top View)

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

Note: Exposed backside of the package is

the source terminal for the transistor.

(2,3)

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Case Temperature 83°C, 300 W CW

Figure 1. Pin Connections

0.24

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Methodology

Class

Human Body Model (per JESD22--A114)

Machine Model (per EIA/JESD22--A115)

Charge Device Model (per JESD22--C101)

2 (Minimum)

A (Minimum)

IV (Minimum)

1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access

MTTF calculators by product.

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes -- AN1955.

MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
477KXM063MQV	ILLINOISCAPACITOR	+105°C Low Impedance Radial Lead Aluminum Ele	获取价格
477KXM063MQV	CDE	1.7 A @ 100 kHz, 105°C	获取价格
477KXM063MSI	ILLINOISCAPACITOR	Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet)	获取价格
477KXM063QCC	ILLINOISCAPACITOR	Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet)	获取价格
477KXM063QSA	ILLINOISCAPACITOR	Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet)	获取价格
477KXM063QSH	ILLINOISCAPACITOR	Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet)	获取价格

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