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222212018221

更新时间： 2024-02-08 14:11:17

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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RF Power Field Effect Transistor

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222212018221 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	电容：	220 µF
电容器类型：	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	介电材料：	ALUMINUM (WET)
ESR：	249 m Ω	JESD-609代码：	e3
漏电流：	0.206 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
负容差：	20%	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装形状：	TUBULAR PACKAGE	包装方法：	BULK
极性：	POLARIZED	正容差：	20%
额定（直流）电压（URdc）：	63 V	纹波电流：	2150 mA
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形状：	WIRE	Base Number Matches：	1

222212018221 数据手册

Document Number: MRF8S9102N

Rev. 0, 2/2011

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistor

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

Designed for CDMA base station applications with frequencies from 865 to

960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base

station modulation formats.

MRF8S9102NR3

•

Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: V_DD= 28 Volts, I_DQ

750 mA, P_out= 28 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel

865--960 MHz, 28 W AVG., 28 V

SINGLE W--CDMA

Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability

on CCDF.

LATERAL N--CHANNEL

RF POWER MOSFET

Output PAR

(dB)

ACPR

(dBc)

Frequency

920 MHz

940 MHz

960 MHz

(dB)

23.1

22.8

(%)

36.4

36.6

6.3

6.2

6.1

--35.5

--36.1

--35.8

•

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 144 Watts CW

Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated P_out), Designed for

Enhanced Ruggedness

Typical P_out@ 1 dB Compression Point ≃ 100 Watts CW

CASE 2021--03, STYLE 1

O M -- 7 8 0 -- 2

880 MHz

Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: V_DD= 28 Volts, I_DQ

750 mA, P_out= 28 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel

PLASTIC

•

Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability

on CCDF.

Output PAR

(dB)

ACPR

(dBc)

Frequency

865 MHz

880 MHz

895 MHz

(dB)

22.9

23.0

22.8

(%)

35.4

35.5

35.6

6.4

6.2

6.0

--34.7

--35.1

--35.7

Features

•

100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability

Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

and Common Source S--Parameters

•

Internally Matched for Ease of Use

Integrated ESD Protection

Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

Optimized for Doherty Applications

225°C Capable Plastic Package

RoHS Compliant

In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13 inch Reel.

MRF8S9102NR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
222212018471	VISHAY	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 63 V, 470 uF, THROUGH HOLE MOUNT,	获取价格
222212018681	VISHAY	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 63 V, 680 uF, THROUGH HOLE MOUNT,	获取价格
222212019221	VISHAY	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 100 V, 220 uF, THROUGH HOLE MOUNT,	获取价格
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222212025222	VISHAY	Aluminum Capacitors Axial High Temperature, High Ripple Current	获取价格
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