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0906-2

更新时间： 2024-01-08 14:40:15

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飞思卡尔 - FREESCALE		/
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描述
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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0906-2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	大小写代码：	1410
构造：	Rectangular	型芯材料：	AIR
直流电阻：	0.004 Ω	标称电感 (L)：	0.00165 µH
电感器应用：	RF INDUCTOR	电感器类型：	GENERAL PURPOSE INDUCTOR
功能数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装高度：	1.52 mm	封装长度：	3.43 mm
封装形式：	SMT	封装宽度：	2.41 mm
包装方法：	TR, Embossed Plastic, 7 Inch	最小质量因数（标称电感时）：	100
最大额定电流：	1.6 A	参考标准：	AEC-Q200
自谐振频率：	10000 MHz	形状/尺寸说明：	RECTANGULAR PACKAGE
屏蔽：	NO	表面贴装：	YES
端子位置：	DUAL ENDED	端子形状：	ONE SURFACE
测试频率：	800 MHz	容差：	10%
Base Number Matches：	1

0906-2 数据手册

Document Number: MRF5S4125N

Rev. 0, 1/2007

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF5S4125NR1

MRF5S4125NBR1

Designed for broadband commercial and industrial applications with

frequencies up to 500 MHz. The high gain and broadband performance of

these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier

applications in 28 volt base station equipment.

• Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 465 MHz: V_DD= 28 Volts,

450-480 MHz, 25 W AVG., 28 V

SINGLE N-CDMA

_DQ= 1100 mA, P_out= 25 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,

Traffic Codes 8 Through 13). Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR =

9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Power Gain — 23 dB

Drain Efficiency — 30.2%

ACPR @ 750 kHz Offset — -47.6 dBc in 30 kHz Bandwidth

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 465 MHz, 125 Watts CW

Output Power

Features

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Internally Matched for Ease of Use

• Qualified Up to a Maximum of 32 V_DDOperation

• Integrated ESD Protection

CASE 1486-03, STYLE 1

TO-270 WB-4

MRF5S4125NR1

• 200°C Capable Plastic Package

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

CASE 1484-04, STYLE 1

TO-272 WB-4

MRF5S4125NBR1

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

-0.5, +65

-0.5, +15

- 65 to +150

200

Unit

Vdc

°C

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Storage Temperature Range

DSS

stg

(1,2)

Operating Junction Temperature

°C

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

(2,3)

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Case Temperature 90°C, 125 W CW

Case Temperature 90°C, 25 W CW

°C/W

0.33

0.43

1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.

2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access the MTTF

calculators by product.

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
09-06-2020	MOLEX	3.96mm (.156") KK® IDT Trifurcon™ Contact, 2	获取价格
09-06-2025	MOLEX	Board Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Female, IDC Terminal,	获取价格
09-06-2027	MOLEX	IDT CHANGE HEAD Specification Sheet	获取价格
09-06-2028	MOLEX	IDT CHANGE HEAD Specification Sheet	获取价格
09-06-2029	MOLEX	3.96mm (.156") KK® IDT Trifurcon™ Contact, 2	获取价格
09-06-2030	MOLEX	3.96mm (.156") KK® IDT Trifurcon™ Contact, 3	获取价格

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