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FR802

更新时间： 2024-09-09 10:24:15
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EIC 整流二极管局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 114K
描述
FAST RECOVERY

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FR802 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.65
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：TS 16949
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.15 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FR802 数据手册

 浏览型号FR802的Datasheet PDF文件第2页 
Certificate TH97/10561QM  
Certificate TW00/17276EM  
FAST RECOVERY  
RECTIFIER DIODES  
FR801 - FR805  
TO-220AC  
PRV : 50 - 600 Volts  
Io : 8.0 Amperes  
0.154(3.91)DIA.  
0.148(3.74)  
0.185(4.70)  
0.175(4.44)  
0.415(10.54)MAX.  
0.055(1.39)  
0.045(1.14)  
FEATURES :  
0.113(2.87)  
0.103(2.62)  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Fast switching for high efficiency  
* Pb / RoHS Free  
0.145(3.68)  
0.135(3.43)  
0.603(15.32)  
0.573(14.55)  
0.635(16.13)  
0.625(15.87)  
0.350(8.89)  
0.330(8.39)  
1
2
0.160(4.06)  
0.140(3.56)  
0.560(14.22)  
0.530(13.46)  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
0.037(0.94)  
0.027(0.68)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Epoxy, Molded  
0.022(0.56)  
0.014(0.36)  
0.205(520)  
0.195(4.95)  
* Lead Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
* Polarity: As marked  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Mounting Position: Any  
* Weight : 2.24 grams (Approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
RATING  
SYMBOL FR801 FR802 FR803 FR804 FR805 UNIT  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
100  
IF(AV)  
8.0  
A
Half-Wave Resistive Load  
Tc = 100 °C  
Peak Forward Surge Current  
IFSM  
150  
A
8.3ms Single half sine wave Superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
Maximum Peak Forward Voltage at IF = 8 A  
VF  
IR  
1.3  
10  
V
Maximum Reverse Current at  
Rated DC Blocking Voltage  
Tc = 25 °C  
μA  
μA  
ns  
pF  
°C  
IR(H)  
Trr  
Tc = 100 °C  
150  
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )  
Typical Junction Capacitance( Note 2)  
150  
250  
CJ  
70  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
- 65 to + 175  
Notes :  
(1) Reverse Recovery Test Conditions : IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.  
(2) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V.  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : July 28, 2006  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC, TO-220A,
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon,

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