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FR605GPE3

更新时间: 2024-11-15 09:33:23
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 103K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, R-6, 2 PIN

FR605GPE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.62
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:6 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.25 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

FR605GPE3 数据手册

  

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