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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 2111896 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | to-220- | Samacsys Released Date： | 2020-04-06 05:03:37 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 330 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 38 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF5P20RDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FQPF5P20RDTU | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 QFET® MOSFET |
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| FQPF60N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQPF630 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQPF630 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，200V，6.3A，400mΩ |
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| FQPF65N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF65N06 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 60V，40A，16mΩ |
|
| FQPF6N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF6N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF6N40 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.73A I(D) | TO-220F |
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