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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.42 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 55 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 23 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF5P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
|
| FQPF5P20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-3.4 A，1.4 Ω，TO-2 |
|
| FQPF5P20RDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FQPF5P20RDTU | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 QFET® MOSFET |
|
| FQPF60N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQPF630 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF630 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，200V，6.3A，400mΩ |
|
| FQPF65N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF65N06 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 60V，40A，16mΩ |
|
| FQPF6N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
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