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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQPF5N50CFTU
FQPF5N50CFTU PDF预览

FQPF5N50CFTU

更新时间： 2024-11-25 12:28:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 662K
描述
Low gate charge ( typical 18nC)

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FQPF5N50CFTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.42
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：1.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQPF5N50CFTU 数据手册

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TM  
FRFET  
FQPF5N50CF  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
5A, 500V, R  
=
1.55 Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 18nC)  
Low Crss ( typical 15pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
ciency switched mode power supplies, active power factor cor-  
rection, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
!
G
TO-220F  
FQPF Series  
G D  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQPF5N50CF  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
V
DSS  
500  
I
Drain Current  
- Continuous (T = 25°C)  
5
2.9  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
(Note 1)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
20  
A
DM  
V
E
Gate-Source Voltage  
± 30  
300  
5
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.3  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
38  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.3  
W/°C  
°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
T
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQPF5N50CF  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
3.31  
--  
θJC  
θJS  
θJA  
R
R
62.5  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQPF5N50CF Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQPF5N50CFTU_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，5 A，1.4 Ω，TO-220F
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 		600V N-Channel MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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