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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.69 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF5N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF5N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF5N50C | ONSEMI |
获取价格 |
500V N-Channel Advance QFET® C-Series, TO-220F 3L, 1000-RAIL |
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| FQPF5N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF5N50CFTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low gate charge ( typical 18nC) |
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| FQPF5N50CFTU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQPF5N50CT | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| FQPF5N50CT_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQPF5N50CYDTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，5 A，1.4 Ω，TO-220F |
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| FQPF5N50CYDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel Advance QFET® C-Series, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, Y |
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