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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.2 A | 最大漏源导通电阻： | 7.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.8 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB2NA90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
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| FQB2P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
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| FQB2P25TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FQB2P40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
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| FQB2P40TM | ROCHESTER |
获取价格 |
2A, 400V, 6.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| FQB30N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQB30N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQB30N06LTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，32 A，35mΩ，D2PA |
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| FQB32N12V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
120V N-Channel MOSFET |
|
| FQB32N12V2TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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