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FQB27P06TM

更新时间： 2024-11-02 12:18:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
8页 1532K
描述
P-Channel QFET® MOSFET -60 V, -27 A, 70 mΩ

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FQB27P06TM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：D2PAK-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：167408Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：TO263(DDPAK)Samacsys Released Date：2015-04-13 16:43:49
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：560 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：120 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB27P06TM 数据手册

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October 2013  
FQB27P06  
P-Channel QFET® MOSFET  
-60 V, -27 A, 70 mΩ  
Description  
Features  
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar  
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET  
technology has been especially tailored to reduce on-state  
resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are  
suitable for switched mode power supplies, audio amplifier,  
DC motor control, and variable switching power applications.  
•
-27 A, -60 V, RDS(on) = 70 mΩ (Max) @VGS = -10 V,  
ID = -13.5 A  
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 33 nC)  
Low Crss (Typ. 120 pF)  
100% Avalanche Tested  
175°C Maximum Junction Temperature Rating  
S
D
G
G
D2-PAK  
S
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
FQB27P06TM  
Symbol  
Parameter  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
-60  
-27  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
-19.1  
-108  
± 25  
560  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
-27  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
12  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-7.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
120  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.8  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQB27P06TM  
Unit  
RJC  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.  
1.25  
62.5  
40  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (minimum pad of 2 oz copper), Max.  
oC/W  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (* 1 in2 pad of 2 oz copper), Max.  
©2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQB27P06 Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
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FQB27P06TM 替代型号

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