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FPD3000

更新时间： 2024-01-13 13:15:19
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威讯 - RFMD /
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4页 239K
描述
2W POWER pHEMT

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FPD3000 技术参数

生命周期：Active包装说明：DIE
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21最小漏源击穿电压：10 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：X BAND
JESD-30 代码：R-XUUC-N元件数量：1
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：7.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET RF Small Signal表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FPD3000 数据手册

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FPD30002W  
Power pHEMT  
FPD3000  
2W POWER pHEMT  
Package Style: Bare Die  
Product Description  
Features  
The FPD3000 is an AlGaAs/InGaAs pseudomorphic High Electron Mobility Transis-  
tor (pHEMT), featuring a 0.25μmx3000μm Schottky barrier gate, defined by high -  
resolution stepper-based photolithography. The recessed gate structure minimizes  
parasitics to optimize performance. The epitaxial structure and processing have  
been optimized for reliable high-power applications. The FPD3000 is also available  
in the low-cost plastic SOT89 package.  
„
32.5dBm Linear Output  
Power at 12GHz  
„
„
6.5dB Power Gain at 12GHz  
8dB Max Stable Gain at  
12GHz  
„
„
42dBm O  
IP3  
30% Power-Added Efficiency  
Optimum Technology  
Matching® Applied  
Applications  
GaAs HBT  
GaAs MESFET  
InGaP HBT  
SiGe BiCMOS  
Si BiCMOS  
SiGe HBT  
„
Narrowband and Broadband  
High-Performance Amplifiers  
„
„
SATCOM Uplink Transmitters  
PCS/Cellular Low-Voltage  
High-Efficiency Output Ampli-  
fiers  
GaAs pHEMT  
9
Si CMOS  
Si BJT  
„
Medium-Haul Digital Radio  
Transmitters  
GaN HEMT  
InP HBT  
RF MEMS  
LDMOS  
Specification  
Parameter  
Unit  
Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Electrical Specifications  
P
Gain Compression  
31.5  
7.0  
32.5  
8.0  
6.5  
30  
dBm  
dB  
V
V
V
V
V
=8V, I =50% I  
DS  
1dB  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DSS  
DSS  
DSS  
Maximum Stable Gain (S21/S12)  
Power Gain at P (G  
=8V, I =50% I  
DS  
)
6.0  
dB  
=8V, I =50% I  
DS  
1dB 1dB  
Power-Added Efficiency (PAE)  
OIP  
%
=8V, I =50% I , P =P  
DS  
DSS  
OUT  
1dB  
42  
dBm  
dBm  
mA  
A
=8V, I =50% I  
DS  
3
DSS  
44  
Matched for optimal power, tuned for best IP  
3
Saturated Drain-Source Current (I  
Maximum Drain-Source Current  
)
750  
930  
1.5  
1100  
V
V
=1.3V, V =0V  
DSS  
DS  
DS  
GS  
=1.3V, V ≈+1V  
GS  
(I  
)
MAX  
Transconductance (G )  
800  
10  
ms  
μA  
V
V
V
V
=1.3V, V =0 V  
M
DS  
GS  
DS  
GS  
Gate-Source Leakage Current (I  
)
=-5V  
GSO  
Pinch-Off Voltage (V )  
|1.0|  
|14.0|  
=1.3V, I =3mA  
DS  
P
Gate-Source Breakdown Voltage  
(V  
|12.0|  
|14.5|  
V
I
=3mA  
=3mA  
>6V  
GS  
)
BDGS  
Gate-Drain Breakdown Voltage  
(V  
|16.0|  
20  
V
I
GD  
)
BDGD  
Thermal Resistivity (θJC)  
Note: T  
°C/W  
V
DS  
=22°C, RF specifications measured at f=12GHz using CW signal.  
AMBIENT  
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-  
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical  
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.  
Rev A1 DS090612  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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