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FPD2000AS

更新时间： 2024-09-22 22:32:03
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FILTRONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 281K
描述
2W PACKAGED POWER PHEMT

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FPD2000AS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：MICROWAVE, R-CQMW-F4
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：12 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CQMW-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROWAVE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：QUAD
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FPD2000AS 数据手册

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FPD2000AS  
PRELIMINARY  
2W PACKAGED POWER PHEMT  
• PERFORMANCE (1.8 GHz)  
♦ 33 dBm Output Power (P1dB  
)
♦ 14 dB Power Gain (G1dB  
♦ 46 dBm Output IP3  
♦ 10V Operation  
)
♦ 50% Power-Added Efficiency  
♦ Evaluation Boards Available  
♦ Design Data Available on Website  
♦ Usable Gain to 4GHz  
SEE PACKAGE OUTLINE FOR  
MARKING CODE  
• DESCRIPTION AND APPLICATIONS  
The FPD2000AS is a packaged depletion mode AlGaAs/InGaAs pseudomorphic High Electron  
Mobility Transistor (pHEMT), optimized for power applications in L-Band. The surface-mount  
package has been optimized for low parasitics.  
Typical applications include drivers or output stages in PCS/Cellular base station transmitter  
amplifiers, as well as other power applications in WLL/WLAN amplifiers.  
• ELECTRICAL SPECIFICATIONS AT 22°C  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max Units  
RF SPECIFICATIONS MEASURED AT f = 1.8 GHz USING CW SIGNAL  
Power at 1dB Gain Compression  
P1dB  
G1dB  
MSG  
PAE  
IP3  
VDS = 10V; IDS = 350 mA  
ΓS and ΓL tuned for Optimum IP3  
VDS = 10V; IDS = 350 mA  
ΓS and ΓL tuned for Optimum IP3  
VDS = 10 V; IDS = 350 mA  
PIN = 0dBm, 50Ω system  
VDS = 10V; IDS = 350 mA  
ΓS and ΓL tuned for Optimum IP3  
VDS = 10V; IDS = 350 mA  
32  
33  
14.0  
20  
dBm  
Power Gain at dB Gain Compression  
12.5  
Maximum Stable Gain  
S21/S12  
Power-Added Efficiency  
at 1dB Gain Compression  
3rd-Order Intermodulation Distortion  
dB  
%
45  
-47  
-44  
dBc  
ΓS and ΓL tuned for Optimum IP3  
P
OUT = 22 dBm (single-tone level)  
Saturated Drain-Source Current  
Maximum Drain-Source Current  
Transconductance  
Gate-Source Leakage Current  
Pinch-Off Voltage  
IDSS  
IMAX  
GM  
IGSO  
|VP|  
VDS = 1.3 V; VGS = 0 V  
VDS = 1.3 V; VGS ≅ +1 V  
VDS = 1.3 V; VGS = 0 V  
VGS = -3 V  
VDS = 1.3 V; IDS = 4 mA  
IGS = 4 mA  
975  
1150  
1800  
1200  
35  
0.9  
16  
1325  
mA  
mA  
mS  
µA  
V
85  
1.4  
0.7  
14  
20  
Gate-Source Breakdown Voltage  
Gate-Drain Breakdown Voltage  
Thermal Resistivity (channel-to-case)  
|VBDGS  
|VBDGD  
|
|
V
V
IGD = 4 mA  
See Note on following page  
22  
20  
ΘCC  
°C/W  
Phone: +1 408 850-5790  
Fax: +1 408 850-5766  
http:// www.filcs.com  
Revised: 05/03/04  
Email: sales@filcsi.com  
1234567

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