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FPD1050

更新时间： 2024-01-24 10:10:10
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威讯 - RFMD 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 260K
描述
0.75W POWER pHEMT

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FPD1050 技术参数

生命周期：Active包装说明：DIE
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.12Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：10 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：X BAND
JESD-30 代码：R-XUUC-N元件数量：1
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：3.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET RF Small Signal表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FPD1050 数据手册

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FPD1050  
0.75W Power  
pHEMT  
FPD1050  
0.75W POWER pHEMT  
Package Style: Bare Die  
Product Description  
Features  
The FPD1050 is an AlGaAs/InGaAs pseudomorphic High Electron Mobility Transis-  
tor (pHEMT), featuring a 0.25μmx1050μm Schottky barrier gate, defined by high-  
resolution stepper-based photolithography. The double recessed gate structure  
minimizes parasitics to optimize performance. The epitaxial structure and process-  
ing have been optimized for reliable high-power applications. The FPD1050 is also  
available in the low-cost plastic SOT89 package.  
„
28.5dBm Linear Output  
Power at 12GHz  
„
„
11dB Power Gain at 12GHz  
14dB Max Stable Gain at  
12GHz  
„
„
41 dBm O  
IP3  
45% Power-Added Efficiency  
Optimum Technology  
Matching® Applied  
Applications  
GaAs HBT  
GaAs MESFET  
InGaP HBT  
SiGe BiCMOS  
Si BiCMOS  
SiGe HBT  
„
Narrowband and Broadband  
High-Performance Amplifiers  
„
„
SATCOM Uplink Transmitters  
PCS/Cellular Low-Voltage  
High-Efficiency Output Ampli-  
fiers  
GaAs pHEMT  
9
Si CMOS  
Si BJT  
„
Medium-Haul Digital Radio  
Transmitters  
GaN HEMT  
InP HBT  
RF MEMS  
LDMOS  
Specification  
Parameter  
Unit  
Condition  
Min.  
27.5  
Typ.  
28.5  
14.0  
11.0  
45  
Max.  
P
Gain Compression  
dBm  
dB  
V
V
V
V
V
=8V, I =50% I  
DS  
1dB  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DSS  
DSS  
DSS  
S21/S12 (MSG)  
Power Gain at P  
PAE  
=8V, I =50% I  
DS  
(G  
)
10.0  
dB  
=8V, I =50% I  
DS  
1dB 1dB  
%
=8V, I =50% I , P =P  
DS  
DSS  
DSS  
OUT  
1dB  
OIP  
39  
dBm  
dBm  
mA  
=8V, I =50% I  
DS  
3
41  
Matched for optimal power, tuned for best IP  
3
Saturated Drain-Source Current  
(IDSS)  
260  
325  
385  
V
=1.3V, V =0V  
DS  
GS  
Maximum Drain-Source Current  
(IMAX)  
520  
mA  
V
=1.3V, V ≈+1V  
DS  
GS  
Transconductance (GM)  
280  
15  
ms  
μA  
V
V
V
V
=1.3V, V =0V  
DS  
GS  
DS  
GS  
Gate-Source Leakage Current (IGSO)  
=-5V  
Pinch-Off Voltage (V )  
|1.0|  
|14.0|  
=1.3V, I =1mA  
DS  
P
Gate-Source Breakdown Voltage  
|12.0|  
|14.5|  
V
I
=3mA  
=3mA  
>6V  
GS  
(V  
)
BDGS  
Gate-Drain Breakdown Voltage  
(V  
|16.0|  
45  
V
I
GD  
)
BDGD  
Thermal Resistivity (θJC) *  
*Note: T  
°C/W  
V
DS  
=22°C, RF specifications measured at f=12GHz using CW signal.  
AMBIENT  
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-  
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical  
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.  
Rev A0 DS080702 3.0  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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