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FMY4A

更新时间： 2024-11-09 18:09:39

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4页	205K
描述
Complementary Transistor Array

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FMY4A 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Power Management(Dual Transistors)

FMY4A

■ Features

Unit: mm

● Collector-emitter voltage: Tr1=-50V,Tr2=50V

● Collector current: Tr1=-150mA,Tr2=150mA

(3)

(2)

(1)

Tr1

(4)

(5)

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Rating

Parameter

Symbol

Unit

Tr1

-60

-50

-6

Tr2

Collector-base voltage

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

-150

150

℃

300

-55 to +150

Power dissipation(Total)

Operating and Storage and Temperature Range

Tj, TSTG

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FMY50N30ES	FUJI	获取价格	Power Field-Effect Transistor
FMY52N60S1FDA	FUJI	获取价格	TO-247
FMY52N65S1FDA	FUJI	获取价格	TO-247
FMY53N60S1A	FUJI	获取价格	TO-247
FMY53N65S1A	FUJI	获取价格	TO-247
FMY5T148	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silico
FMY6	ROHM	获取价格	General purpose (dual transistors)
FMY60N025S2A	FUJI	获取价格	TO-247(Type:A)