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FMY22N60ESF

更新时间： 2024-04-09 19:02:40
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富士电机 - FUJI /
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描述
TO-247

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FMY22N60ESF 数据手册

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http://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/index.html  
FMY22N60ESF  
FUJI POWER MOSFET  
Automotive  
Super FAP-E3S Low Qg Built-in FRED series  
N-Channel enhancement mode power MOSFET  
■Features  
■Outline Drawings [mm]  
■Equivalent circuit schematic  
Low on-state resistance  
Low switching loss  
easy to use  
Drain (D)  
(more controllable switching dV/dt by Rg)  
The reliability trial conforms to AEC Q101.  
100% avalanche tested  
Gate (G)  
■Applications  
Source (S)  
Automotive switching applications  
■Absolute Maximum Ratings at Tc=25℃(unless otherwise specified)  
Description  
Symbol  
VDS  
VDSX  
ID  
Characteristics  
Unit  
V
Remarks  
VGS=-30V  
600  
600  
Drain-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current  
±22  
±88  
±30  
22  
A
Pulsed Drain Current  
IDP  
A
Gate-Source Voltage  
VGS  
IAS  
V
Non-Repetitive Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive Maximum Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Peak Diode Recovery di/dt  
A
Note*1  
Note*2  
Note*3  
Note*4  
EAS  
470  
mJ  
kV/μs  
A/μs  
W
dV/dt  
-di/dt  
PD  
4.7  
100  
Maximum Power Dissipation  
400  
Tch  
150  
℃
Operating and Storage Temperature range  
Tstg  
-55 to +150  
℃
Note*1 : Tch≦150℃,See Fig.1 and Fig.2  
Note*2 : Starting Tch=25℃,L=1779μH,VCC=60V,RG=50Ω,See Fig.1 and Fig.2  
EAS limited by maximum channel temperature and avalanche current.  
See to Avalanche Energy graph of page 5  
Note*3 : IF≦-ID,-di/dt=100A/μs,VCC≦BVDSS, Tch≦150℃  
Note*4 : IF≦-ID,dV/dt=4.7kV/μs,VCC≦BVDSS, Tch≦150℃  
■Electrical Characteristics at Tc=25℃(unless otherwise specified)  
Static Ratings  
Description  
Symbol  
BVDSS  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
600  
600  
3.2  
－
－
－
Drain-Source Breakdown Voltage  
ID=1mA  
BVDSX  
－
4.2  
2
－
5.2  
10  
V
VGS=-30V  
ID=250μA  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
V
VDS= VGS  
VDS= 600V  
VGS=0V  
Ta=25℃  
μA  
mA  
nA  
mΩ  
Zero Gate Voltage Drain current  
IDSS  
VDS= 480V  
VGS=0V  
Ta=125℃  
－
0.7  
10  
2
VGS=30V  
VDS= 0V  
Gate-Source Leakage current  
IGSS  
－
100  
290  
ID=11A  
Drain-Source On-State Resistance  
RDS(on)  
－
250  
VGS=10V  
1
Jun. 2013  
12345678

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