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FMS3

更新时间： 2022-12-12 00:10:39

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	57K
描述
General purpose (dual transistors)

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数据手册

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FMS3 数据手册

FMS3 / FMS4 / IMT4

Transistors

General purpose (dual transistors)

FMS3 / FMS4 / IMT4

!Features

!External dimensions (Units : mm)

1) Two 2SA1514K chips in an AMT package.

2) High breakdown voltage.

FMS3

1.6

2.8

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

Limits

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

−120

−120

−5

−50

300 (TOTAL)

150

0.3to0.6

V

Each lead has same dimensions

ROHM : SMT5

EIAJ : SC-74A

V

I

C

mA

mW

˚C

˚C

Power dissipation

Pc

Tj

∗

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

−55∼+150

FMS4

200mW per element must not be exceeded.

∗

1.6

2.8

!Package, marking, and Packaging specifications

Part No.

Package

Marking

FMS3

SMT5

S3

FMS4

SMT5

S4

IMT4

SMT6

T4

0.3to0.6

Each lead has same dimensions

ROHM : SMT5

EIAJ : SC-74A

T148

3000

T148

3000

T108

3000

Code

Basic ordering unit (pieces)

IMT4

!Circuit diagram

FMS3

1.6

2.8

FMS4

IMT4

0.3to0.6

Each lead has same dimensions

ROHM : SMT6

EIAJ : SC-74

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

−120

−120

−5

−

−

180

−

−

−

−

−

−

−

140

−

−

−

−

−0.5

−0.5

820

−

V

V

I

I

I

C

=

=

−50µA

−1mA

C

V

E

=

−50µA

−100V

−4V

−6V, I

−12V, I

−10mA/−1mA

I

CBO

EBO

FE

µA

µA

−

MHz

V

V

V

V

V

CB

=

Emitter cutoff current

I

EB

=

DC current transfer ratio

h

CE

=

=

C

−2mA

Transition frequency

f

T

CE

E

=

2mA, f

=

100MHz

∗

Collector-emitter saturation voltage

V

CE(sat)

−

−0.5

IC/IB=

∗Transition frequency of the device.

1

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