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FMS3

更新时间： 2022-03-21 05:21:05
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI PC
页数 文件大小 规格书
1页 142K
描述
High breakdown voltage, Power dissipation: PC=300mW

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FMS3 数据手册

  
T
Tr  
                                            
ra  
                                             
an  
                                              
nDs  
                                               
sioi  
                                                
is  
                                                
sdt  
                                                 
tIooeCrrsss  
                                                  
                                                   
                                                   
Product specification  
FMS3  
■Features  
Unit: mm  
● High breakdown voltage  
● Power dissipation: PC=300mW  
● Collector Curren: IC=-50mA  
5
4
1
2
3
FMS3  
■Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-120  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-120  
V
-5.0  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation(TOTAL)  
Junction Temperature  
-50  
mA  
mW  
℃
PC  
300  
Tj  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
-55 to 150  
℃
■Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
Min  
-120  
-120  
-5.0  
Typ Max  
Unit  
V
Ic= -50μA, IE=0  
V(BR)CBO  
Collector-to-base breakdown voltage  
Collector-to-emitter breakdown voltage  
Emitter-to-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V(BR)CEO Ic= -1 mA， IB=0  
V(BR)EBO IE= -50 μA， IC=0  
V
V
IcBO  
IEBO  
hFE  
VCB= -100 V , IE=0  
VCE= -4.0V , IC=0  
-0.5  
-0.5  
μA  
μA  
Collector cutoff current  
DC current gain  
VCE= -60V, IC= -2.0mA  
180  
820  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC=-10 mA, IB= -1.0mA  
fT VCE= -12V, IC= -2mA,f=100MHz  
-0.5  
V
140  
MHz  
■ Marking  
Marking  
S3  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  
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