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FMN-G16S

更新时间: 2024-01-02 16:47:36
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三垦 - SANKEN 整流二极管局域网超快恢复二极管快速恢复二极管
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1页 21K
描述
Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes

FMN-G16S 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:R-PSFM-T2针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
应用:ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-220
JESD-30 代码:R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流:50 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.1 µs
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

FMN-G16S 数据手册

  
Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes  
Electrical Characteristics ( Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
Tstg  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(mA)  
t
t
(H)  
rr  
(ns)  
rr  
(ns)  
Rth (j-c)  
I
F(AV) (A)  
(°C) (°C)  
VRM  
(V)  
Fig.  
With  
Heatsink  
Type No.  
VR=VRM  
max  
IF  
(A)  
IF  
/
IRP  
IF  
/IRP  
max  
VR =VRM  
(°C/ W)  
(g)  
(mA)  
(mA)  
10  
200  
400  
600  
100  
70  
0.92  
1.0  
100  
FMN-G12S  
FMN-G14S  
FMN-G16S  
(Ta =150°C)  
–40 to +150  
5.0  
100 100/100 50 100/200  
4.0  
2.1  
A
5.0  
10  
(Tj=150°C)  
50  
50  
1.2  
FMN-G12S  
VF – IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Tc – IF(AV) Derating  
50  
10  
5
4
3
2
100  
80  
60  
40  
20  
0
D.C.  
20ms  
t / T=1/6  
t / T=1/3  
1
0.1  
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
Tj=125°C  
VR =200V  
t / T=1/2  
0.01  
1
0
25°C  
t
T
Sinewave  
130  
Case Temperature Tc (°C)  
0.001  
0
100  
110  
120  
140  
150  
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
Forward Voltage VF (V)  
1
5
10  
50  
Overcurrent Cycles  
FMN-G14S  
FMN-G16S  
External Dimensions  
Fig.  
A
4.2  
2.8  
(Unit: mm) (Full-mold)  
10.0  
3.3  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
2.2  
2.6  
1.35  
0.85  
0.45  
5.08  
5

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