FMN-G12S

更新时间： 2024-02-27 11:24:33

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Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes

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FMN-G12S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AC
包装说明：	R-PSFM-T2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.54	Is Samacsys：	N
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	100 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FMN-G12S 数据手册

Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes

Electrical Characteristics ( Ta =25°C)

Absolute Maximum Ratings

Others

Mass

Parameter

I_FSM

(A)

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

Tstg

V_F

(V)

I_R

(µA)

I_R

(mA)

➀

➁

(H)

(ns)

Rth (j-c)

_F(AV)(A)

(°C) (°C)

V_RM

(V)

Fig.

With

Heatsink

Type No.

V_R=VRM

max

I_F

(A)

I_F

I_RP

I_F

/I_RP

max

V_R=VRM

(°C/ W)

(g)

(mA)

200

400

600

100

0.92

1.0

100

FMN-G12S

FMN-G14S

FMN-G16S

(Ta =150°C)

–40 to +150

5.0

100 100/100 50 100/200

4.0

2.1

5.0

(Tj=150°C)

1.2

FMN-G12S

V_F– I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Tc – I_F(AV)Derating

100

D.C.

20ms

t / T=1/6

t / T=1/3

0.1

150°C

100°C

60°C

Tj=125°C

V_R=200V

t / T=1/2

0.01

25°C

Sinewave

130

Case Temperature Tc (°C)

0.001

100

110

120

140

150

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

FMN-G14S

FMN-G16S

External Dimensions

Fig.

4.2

2.8

(Unit: mm) (Full-mold)

10.0

3.3

Flammability:

UL94V-0 or Equivalent

2.2

2.6

1.35

0.85

0.45

5.08

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