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FMMTL717TA

更新时间： 2024-10-31 00:04:27

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描述
PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FMMTL717TA 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 – DECEMBER 1997

FMMTL717

FEATURES

Very low equivalent on-resistance; R_CE(sat)=160mΩ at 1.25A

COMPLEMENTARY TYPE – FMMTL617

PARTMARKING DETAIL –

L77

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-12

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-5

Continuous Collector Current

Peak Pulse Current

-1.25

-4

I_CM

Base Current

I_B

-200

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

-500

T_j:T_stg

-55 to +150

12 3

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