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FMMTL717QTA

更新时间: 2024-11-18 13:07:51
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美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

FMMTL717QTA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.72其他特性:HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC):1.25 A集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
参考标准:AEC-Q101表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):205 MHz
Base Number Matches:1

FMMTL717QTA 数据手册

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SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 1 – DECEMBER 1997  
FMMTL717  
FEATURES  
Very low equivalent on-resistance; RCE(sat)=160mat 1.25A  
E
COMPLEMENTARY TYPE – FMMTL617  
C
PARTMARKING DETAIL –  
L77  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-12  
-12  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-5  
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
-1.25  
-4  
A
ICM  
A
Base Current  
IB  
-200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
-500  
Tj:Tstg  
-55 to +150  

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