FMMTL717

更新时间： 2024-11-15 10:34:55

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管光电二极管局域网
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3页	68K
描述
SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FMMTL717 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.25 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	205 MHz	Base Number Matches：	1

FMMTL717 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 – DECEMBER 1997

FMMTL717

FEATURES

Very low equivalent on-resistance; R_CE(sat)=160mΩ at 1.25A

COMPLEMENTARY TYPE – FMMTL617

PARTMARKING DETAIL –

L77

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-12

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-5

Continuous Collector Current

Peak Pulse Current

-1.25

-4

I_CM

Base Current

I_B

-200

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

-500

T_j:T_stg

-55 to +150

12 3

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