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FMMTL619TA

更新时间: 2023-02-26 13:51:54
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美台 - DIODES /
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3页 75K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FMMTL619TA 数据手册

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SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 2 – NOVEMBER 2005  
FMMTL619  
FEATURES  
Very low equivalent on-resistance; RCE(sat)=160mat 1.25A  
E
COMPLEMENTARY TYPE – FMMTL720  
C
PARTMARKING DETAIL –  
L69  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
100  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
50  
V
5
1.25  
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
A
ICM  
2
A
Base Current  
IB  
200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
-55 to +150  

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