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FMMTL619_05

更新时间： 2024-11-15 04:18:43

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描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FMMTL619_05 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 2 – NOVEMBER 2005

FMMTL619

FEATURES

Very low equivalent on-resistance; R_CE(sat)=160mΩ at 1.25A

COMPLEMENTARY TYPE – FMMTL720

PARTMARKING DETAIL –

L69

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

100

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

1.25

Continuous Collector Current

Peak Pulse Current

I_CM

Base Current

I_B

200

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

500

T_j:T_stg

-55 to +150

12 3

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