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FMMTL619

更新时间: 2024-11-14 22:48:59
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR

FMMTL619 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.25Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1.25 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
最大关闭时间(toff):379 ns最大开启时间(吨):182 ns
Base Number Matches:1

FMMTL619 数据手册

 浏览型号FMMTL619的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FMMTL619的Datasheet PDF文件第3页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 1 – NOVEMBER 1997  
FMMTL619  
FEATURES  
Very low equivalent on-resistance; RCE(sat)=160mat 1.25A  
E
COMPLEMENTARY TYPE – FMMTL720  
C
PARTMARKING DETAIL –  
L69  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
100  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
50  
V
5
1.25  
V
Continuous Collector Current  
Peak Pulse Current  
A
ICM  
2
A
Base Current  
IB  
200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
-55 to +150  

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