FMMTL618

更新时间： 2024-01-20 10:06:00

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管局域网
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NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FMMTL618 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.54	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.25 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	195 MHz
最大关闭时间（toff）：	388 ns	最大开启时间（吨）：	72 ns
Base Number Matches：	1

FMMTL618 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN

MEDIUM POWER TRANSISTOR

ISSUE 1 – NOVEMBER 1997

FMMTL618

FEATURES

Very low equivalent on-resistance; R_CE(sat)=140mΩ at 1.25A

COMPLEMENTARY TYPE – FMMTL718

PARTMARKING DETAIL –

L68

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

1.25

Continuous Collector Current

Peak Pulse Current

I_CM

Base Current

I_B

200

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

500

T_j:T_stg

-55 to +150

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMTL619	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMTL619	DIODES	获取价格	SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN
FMMTL619	TYSEMI	获取价格	Very low equivalent on-resistance;RCE(sat)=16
FMMTL619	KEXIN	获取价格	Medium Power Transistor
FMMTL619_05	ZETEX	获取价格	SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMTL619TA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23
FMMTL619TC	DIODES	获取价格	暂无描述
FMMTL717	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
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