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FMMTA56

更新时间： 2024-02-12 19:40:34
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 40K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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FMMTA56 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.12Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.33 W
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC50002-244
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

FMMTA56 数据手册

  
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
FMMTA56  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 4 – MARCH 2001  
✪
FEATURES  
E
*
Gain of 50 at IC=100mA  
C
PARTMARKING DETAIL -  
FMMTA56 - 2G  
B
FMMTA56R - MB  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
FMMTA56  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-80  
-80  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-4  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
-500  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
FMMTA56  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
IC=-1mA, IB=0*  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICES  
-80  
-4  
V
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
V
IE=-100µA, IC=0  
VCE=-60V  
Collector-Emitter Cut-Off  
Current  
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
Collector-Base Cut-Off Current ICBO  
VCB=-80V, IE=0  
V
CB=-60V, IE=0  
Static Forward Current Transfer hFE  
Ratio  
50  
50  
IC=-10mA, VCE=1V*  
IC=-100mA, VCE=1V*  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
-0.25  
-1.2  
V
IC=-100mA, IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
V
IC=-100mA, VCE=-1V*  
Transition  
Frequency  
100  
MHz  
IC=-10mA, VCE=-2V  
f=100MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
TBA  
1

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