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FMMT619

更新时间: 2024-02-19 15:59:41
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
2页 172K
描述
Collector current:IC=2A, power dissipation :PC=625mw

FMMT619 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.7最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

FMMT619 数据手册

 浏览型号FMMT619的Datasheet PDF文件第2页 
Transistors  
Product specification  
FMMT619  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
Features  
2.9-0.1  
+0.1  
0.4-0.1  
Collector current:IC=2A  
3
power dissipation :PC=625mw  
1
2
+0.1  
+0.05  
0.95-0.1  
0.1-0.01  
+0.1  
1.9-0.1  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
50  
V
V
50  
5
V
Collector current  
2
0.5  
A
Base current  
IB  
A
Power dissipation  
PC  
625  
mW  
Operating and storage temperature range  
Tj,Tstg  
-55 to +150  
http://www.twtysemi.com  
1 of 2  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  

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