是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 7.73 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 基于收集器的最大容量: | 10 pF |
集电极-发射极最大电压: | 40 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 300 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 150 MHz | VCEsat-Max: | 0.5 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FMMT591AQ | DIODES |
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PNP, 40V, 1A, SOT23 | |
FMMT591AQTA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, | |
FMMT591ATA | DIODES |
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SOT23 PNP silicon planar medium power transistor | |
FMMT591ATC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 | |
FMMT591B | MCC |
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Tape:3K/Reel,120K/Ctn; | |
FMMT591BHE3 | MCC |
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Tape:3K/Reel,120K/Ctn; | |
FMMT591CSM | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 | |
FMMT591DCSM | ETC |
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PNP | |
FMMT591HE3 | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel,120K/Ctn; | |
FMMT591Q | DIODES |
获取价格 |
PNP, 60V, 1A, SOT23 |