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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT5401
FMMT5401 PDF预览

FMMT5401

更新时间： 2024-11-10 22:48:59
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管光电二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

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FMMT5401 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.33 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FMMT5401 数据手册

  
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS  
FMMT5400  
FMMT5401  
ISSUE 4 - NOVEMBER 1996  
✪
PARTMARKING DETAILS -  
FMMT5400 - 1LZ  
FMMT5401 - Z2L  
E
C
COMPLEMENTARY TYPES - FMMT5400 – FMMT5550  
FMMT5401 – FMMT5551  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
FMMT5400 FMMT5401  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-130  
-120  
-5  
-160  
-150  
-5  
V
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
-600  
330  
-600  
330  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C).  
FMMT5400  
FMMT5401  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. MIN. MAX.  
UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-130  
-120  
-5  
-160  
-150  
-5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-1mA  
IE=-10µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
-100  
nA  
µA  
nA  
µA  
V
CB=-100V  
CB=-100V, TA=100°C  
VCB=-120V  
CB=-120V, TA=100°C  
V
-50  
-50  
V
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
hFE  
30  
40  
40  
50  
60  
50  
IC=-1mA, VCE=-5V  
IC=-10mA, VCE=-5V  
IC=-50mA, VCE=-5V  
-180  
240  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
-0.2  
-0.5  
-0.2  
-0.5  
V
V
IC=-10mA, IB=-1mA  
IC=-50mA, IB=-5mA  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
-1.0  
-1.0  
-1.0  
-1.0  
V
V
I =-10mA, I =-1mA  
C
B
IC=-50mA, IB=-5mA  
Transition  
Frequency  
100  
30  
400  
100  
40  
300  
MHz IC=-10mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Output Capacitance Cobo  
6.0  
6.0  
pF VCB=-10V, f=1MHz  
IC=-1mA, VCE=-10V  
Small Signal  
hfe  
200  
260  
f=1KHz  
†
Noise Figure  
NF  
8
8
dB  
IC=-250µA, VCE=-5V,  
R =1KΩ  
S
f=10Hz to 15.7KHz  
†
Periodic Sample Test Only  
PAGE NUMBER  
1

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