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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT4400TC
FMMT4400TC PDF预览

FMMT4400TC

更新时间： 2024-02-12 12:54:12
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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FMMT4400TC 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.4
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：255 ns最大开启时间（吨）：35 ns

FMMT4400TC 数据手册

 浏览型号FMMT4400TC的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
FMMT4400  
FMMT4401  
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS  
✪
ISSUE 4 – FEBRUARY 1997  
E
PARTMARKING DETAILS:  
FMMT4400 - 1KZ  
FMMT4401 - 1L  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
60  
Collector-Emitter Voltage  
40  
6
V
Emitter-Base Voltage  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
600  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
FMMT4400  
MIN. MAX.  
40  
FMMT4401  
MIN.  
40  
MAX.  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CEO  
CONDITIONS  
IC=1mA, IB=0  
UNIT  
V
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
60  
6
60  
6
V
V
IC=0.1mA, IE=0  
IE=0.1mA, IC=0  
Emitter-Base  
Breakdown Current  
Collector-Emitter  
Cut-Off Current  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
VCE=35V  
VEB(off) =0.4V  
µA  
µA  
Base Cut-Off  
Current  
IBEX  
VCE=35V  
VEB(off) =3V  
Static Forward  
Current  
TransferRatio  
hFE  
20  
40  
80  
100  
40  
IC=0.1mA, VCE=1V  
IC=1mA, VCE=1V  
IC=10mA, VCE=1V  
IC=150mA, VCE=1V*  
IC=500mA, VCE=2V*  
20  
40  
50  
20  
150  
300  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
0.4  
0.75  
0.4  
0.75  
V
V
IC=150mA,IB=15mA*  
IC=500mA,IB=50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
0.75  
200  
0.95  
1.2  
0.75  
250  
0.95  
1.2  
V
V
IC=150mA,IB=15mA*  
IC=500mA,IB=50mA*  
Transition  
Frequency  
MHz IC=20mA,VCE=10V  
f=100kHz  
Output Capacitance Cobo  
Input Capacitance Cibo  
6.5  
30  
6.5  
30  
pF VCB=5 V,IE=0  
f=100kHz  
pF VBE=0.5V, IC=0  
f=100kHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
PAGE NUMBER  
12

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