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FMMT4124

更新时间： 2024-09-27 14:54:19

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
3页	678K
描述
SOT-23

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FMMT4124 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

FMMT4124 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FMMT4124

TRANSISTOR (NPN)

SOT–23

FEATURES

 Switching Application

MARKING:ZC

1. BASE

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

200

330

378

℃/W

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

P_C

R_ΘJA

Operation Junction and

Storage Temperature Range

T_J,T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBO

I_C=10µA, I_E=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=20V, I_E=0

I_EBO

V_EB=3V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE=1V, I_C=2mA

V_CE=1V, I_C=50mA

I_C=50mA, I_B=5mA

V_CE=20V,I_C=10mA,

f=100MHz

120

360

DC current gain

V_CE(sat)

0.3

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_BE(sat)

0.95

f_T

300

MHz

Transition frequency

C_ob

C_Ib

V_CB=5V, I_E=0, f=140KHz

V_BE=0.5V, I_E=0, f=140KHz

Collector output capacitance

Emitter input capacitance

*Pulse test

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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