FMMT38A

更新时间： 2024-11-16 22:40:55

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管局域网
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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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FMMT38A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	1.25 V	Base Number Matches：	1

FMMT38A 数据手册

FMMT38A

FMMT38B

FMMT38C

SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM

POWER DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 3 – AUGUST 1996

FEATURES

60 Volt V_CEO

Gain of 10K at I_C=0.5 Amp

PARTMARKING DETAILS –

FMMT38A – 4J

FMMT38B – 5J

FMMT38C – 7J

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

800

°C

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

300

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

MAX.

amb

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

UNIT CONDITIONS.

I_C=10 A, I_E=0

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

Collector-Emitter

V_CEO(sus)60

V_(BR)EBO10

I_CBO

I_C=10mA, I_B=0

I_E=10 A, I_C=0

V_CB=60V, I_E=0

V_EB=8V, I_C=0

Sustaining Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

100

Emitter Cut-Off Current I_EBO

100

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

1.25

I_C=800mA, I_B=8mA*

Base-Emitter

Turn-on Voltage

V_BE(on)

1.8

I_C=800mA, V_CE=5V*

Static

FMMT38A h_FE

500

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=500mA, V_CE=5V*

Forward

Current

Transfer

Ratio

1000

FMMT38B

FMMT38C

2000

4000

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=500mA, V_CE=5V*

5000

10000

I_C=100mA, V_CE=5V*

I_C=500mA, V_CE=5V*

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 100

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