FMMT2907ATC

更新时间： 2024-11-17 13:07:47

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FMMT2907ATC 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.13
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	基于收集器的最大容量：	8 pF
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	110 ns	最大开启时间（吨）：	50 ns
VCEsat-Max：	1.6 V	Base Number Matches：	1

FMMT2907ATC 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR

SWITCHING TRANSISTOR

FMMT2907

FMMT2907A

ISSUE 3 FEBRUARY 1996

✪

FEATURES

Fast switching

COMPLIMENTARY TYPES - FMMT2907

- FMMT2907A

FMMT2222

FMMT2222A

PARTMARKING DETAIL -

FMMT2907

2BZ

FMMT2907A 2F

FMMT2907R 4P

FMMT2907AR 5P

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL FMMT2907 FMMT2907A

UNIT

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-60

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-60

-5

-600

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

°C

P_tot

330

Operating and Storage Temperature Range T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL FMMT2907

MIN. MAX. MIN. MAX.

-40 -60

FMMT2907A UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CEX

I_C=-10µA, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

-60

I_C=-10mA, I_B=0*

I_E=-10µA, I_C=0

Emitter-Base

Breakdown Voltage

-5

Collector-Emitter

Cut-Off Current

-50

V_CE=-30V, V_BE=-0.5V

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

-20

-10

µA

V_CB=-50V, I_E=0

V_CB=-50V, I_E=0, T_amb=150°C

Base Cut-Off Current I_B

-50

V_CE=-30V, V_BE=-0.5V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

h_FE

-0.4

-1.6

-0.4

-1.6

I_C=-150mA, I_B=-15mA*

I_C=-500mA, I_B=-50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

-1.3

-2.6

-1.3

-2.6

I_C=-150mA, I_B=-15mA*

I_C=-500mA, I_B=-50mA*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

100

I_C=-0.1mA, V_CE=-10V

I_C=-1mA, V_CE=-10V

I_C=-10mA, V_CE=-10V

I_C=-150mA, V_CE=-10V*

I_C=-500mA, V_CE=-10V*

100

300

Transition

Frequency

f_T

200

MHz I_C=-50mA, V_CE=-20V

f=100MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

PAGE NUMBER

中文翻译

下载PDF

与FMMT2907ATC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMMT2907R	ZETEX	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR
FMMT2907RTA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
FMMT2907RTC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
FMMT2907TA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
FMMT2907TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
FMMT38	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
FMMT38A	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
FMMT38A	DIODES	获取价格	SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
FMMT38ATA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
FMMT38ATA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,

与FMMT2907ATC相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMMT2907ATC

FMMT2907ATC 技术参数

FMMT2907ATC 数据手册

与FMMT2907ATC相关器件

与FMMT2907ATC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMMT2907ATC

FMMT2907ATC 技术参数

FMMT2907ATC 数据手册

与FMMT2907ATC相关器件

与FMMT2907ATC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？