FMMT2907ATA

更新时间： 2024-11-17 13:07:51

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捷特科 - ZETEX		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管局域网
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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FMMT2907ATA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
基于收集器的最大容量：	8 pF	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	110 ns
最大开启时间（吨）：	50 ns	VCEsat-Max：	1.6 V
Base Number Matches：	1

FMMT2907ATA 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR

SWITCHING TRANSISTOR

FMMT2907

FMMT2907A

ISSUE 3 FEBRUARY 1996

✪

FEATURES

Fast switching

COMPLIMENTARY TYPES - FMMT2907

- FMMT2907A

FMMT2222

FMMT2222A

PARTMARKING DETAIL -

FMMT2907

2BZ

FMMT2907A 2F

FMMT2907R 4P

FMMT2907AR 5P

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL FMMT2907 FMMT2907A

UNIT

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-60

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-60

-5

-600

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

°C

P_tot

330

Operating and Storage Temperature Range T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL FMMT2907

MIN. MAX. MIN. MAX.

-40 -60

FMMT2907A UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CEX

I_C=-10µA, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

-60

I_C=-10mA, I_B=0*

I_E=-10µA, I_C=0

Emitter-Base

Breakdown Voltage

-5

Collector-Emitter

Cut-Off Current

-50

V_CE=-30V, V_BE=-0.5V

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

-20

-10

µA

V_CB=-50V, I_E=0

V_CB=-50V, I_E=0, T_amb=150°C

Base Cut-Off Current I_B

-50

V_CE=-30V, V_BE=-0.5V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

h_FE

-0.4

-1.6

-0.4

-1.6

I_C=-150mA, I_B=-15mA*

I_C=-500mA, I_B=-50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

-1.3

-2.6

-1.3

-2.6

I_C=-150mA, I_B=-15mA*

I_C=-500mA, I_B=-50mA*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

100

I_C=-0.1mA, V_CE=-10V

I_C=-1mA, V_CE=-10V

I_C=-10mA, V_CE=-10V

I_C=-150mA, V_CE=-10V*

I_C=-500mA, V_CE=-10V*

100

300

Transition

Frequency

f_T

200

MHz I_C=-50mA, V_CE=-20V

f=100MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

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FMMT2907RTA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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