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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT2907A
FMMT2907A PDF预览

FMMT2907A

更新时间： 2024-11-16 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体开关小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR

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FMMT2907A 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.11Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.33 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：110 ns最大开启时间（吨）：50 ns
Base Number Matches：1

FMMT2907A 数据手册

 浏览型号FMMT2907A的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
SWITCHING TRANSISTOR  
FMMT2907  
FMMT2907A  
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996  
✪
FEATURES  
*
Fast switching  
E
COMPLIMENTARY TYPES - FMMT2907 –  
- FMMT2907A –  
FMMT2222  
C
FMMT2222A  
B
PARTMARKING DETAIL -  
FMMT2907 –  
2BZ  
FMMT2907A – 2F  
FMMT2907R – 4P  
FMMT2907AR – 5P  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL FMMT2907 FMMT2907A  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-40  
-60  
V
-5  
-600  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL FMMT2907  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
-40 -60  
FMMT2907A UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICEX  
V
IC=-10µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
-60  
-60  
V
IC=-10mA, IB=0*  
IE=-10µA, IC=0  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
-5  
-5  
V
Collector-Emitter  
Cut-Off Current  
-50  
-50  
nA  
VCE=-30V, VBE=-0.5V  
Collector Cut-Off  
Current  
ICBO  
-20  
-20  
-10  
-10  
nA  
µA  
VCB=-50V, IE=0  
VCB=-50V, IE=0, Tamb=150°C  
Base Cut-Off Current IB  
-50  
-50  
nA  
VCE=-30V, VBE=-0.5V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
-0.4  
-1.6  
-0.4  
-1.6  
V
V
IC=-150mA, IB=-15mA*  
IC=-500mA, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
-1.3  
-2.6  
-1.3  
-2.6  
V
V
IC=-150mA, IB=-15mA*  
IC=-500mA, IB=-50mA*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
35  
50  
75  
100  
30  
75  
IC=-0.1mA, VCE=-10V  
IC=-1mA, VCE=-10V  
IC=-10mA, VCE=-10V  
IC=-150mA, VCE=-10V*  
IC=-500mA, VCE=-10V*  
100  
100  
100  
50  
300  
300  
Transition  
Frequency  
fT  
200  
200  
MHz IC=-50mA, VCE=-20V  
f=100MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
PAGE NUMBER  
12

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