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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT2484TC
FMMT2484TC PDF预览

FMMT2484TC

更新时间： 2024-11-17 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 32K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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FMMT2484TC 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.23
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzVCEsat-Max：0.35 V
Base Number Matches：1

FMMT2484TC 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
FMMT2484  
ISSUE 2 – MARCH 94  
✪
FEATURES  
*
60 Volt VCEO  
E
C
PARTMARKING DETAIL – 4G  
B
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
V
6
200  
V
Peak Pulse Current  
mA  
mA  
mW  
°C  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
50  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
60  
60  
6
IC=10µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=10mA, IB=0*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE=10µA, IC=0  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
10  
10  
nA  
µA  
VCB=45V, IE=0  
VCB=45V, IE=0, Tamb=150°C  
IEBO  
10  
nA  
V
VBE=5V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.35  
IC=1mA, IB=100µA*  
Base-Emitter Voltage  
VBE  
hFE  
0.95  
500  
V
IC=1mA, VCE=5V*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
30  
100  
20  
175  
200  
250  
IC=1µA, VCE=5V*  
IC=10µA, VCE=5V*  
IC=10µA, VCE=5V, Tamb=55°C  
IC=100µA, VCE=5V*  
IC=500µA, VCE=5V*  
IC=1mA, VCE=5V*  
800  
6
IC=10mA, VCE=5V*  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Noise Figure  
Cobo  
Cibo  
N
pF  
pF  
dB  
VCB=5V, IE=0, f=140KHz  
VBE=0.5V, IE=0, f=140KHz  
6
3
IC=200µA, VCE=5V, Rg=2kΩ  
f=1kHz, f=200Hz  
3
dB  
IC=200µA, VCE=5V, Rg=2kΩ  
f=30Hz to 15kHz at -3dB points  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
1

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