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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT2222
FMMT2222 PDF预览

FMMT2222

更新时间： 2024-01-02 07:26:22
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页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS

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FMMT2222 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.11
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

FMMT2222 数据手册

 浏览型号FMMT2222的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
SWITCHING TRANSISTORS  
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996  
FMMT2222  
FMMT2222A  
FEATURES  
*
Fast switching  
E
PARTMARKING DETAILS  
C
FMMT2222  
– 1BZ  
– 2P  
FMMT2222A – 1P  
FMMT2222AR – 3P  
FMMT2222R  
B
COMPLEMENTARY TYPES  
FMMT2222 – FMMT2907  
FMMT2222A – FMMT2907A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
FMMT2222  
FMMT2222A  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
60  
30  
5
75  
40  
6
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
600  
330  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL FMMT2222 FMMT2222A UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
60  
30  
5
75  
40  
6
V
V
V
IC=10µA, IE=0  
IC=10mA, IB=0  
IE=10µA, IC=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
10  
10  
nA  
µA  
nA  
µA  
V
CB=50V, IE=0  
CB=60V, IE=0  
VCB=50V, IE=0, Tamb=150°C  
VCB=60V, IE=0, Tamb=150°C  
10  
V
10  
10  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
10  
10  
nA  
VEB=3V, IC=0  
Collector-Emitter  
Cut-Off Current  
ICEX  
10  
nA  
VCE=60V, VEB(off)=3V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
0.3  
1.0  
0.3  
1.0  
V
V
IC=150mA, IB=15mA*  
IC=500mA, IB=50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
0.6  
2.0  
2.6  
0.6  
1.2  
2.0  
V
V
IC=150mA, IB=15mA*  
IC=500mA, IB=50mA*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
35  
50  
75  
35  
100  
50  
30  
35  
50  
75  
35  
100  
50  
40  
IC=0.1mA, VCE=10V*  
IC=1mA, VCE=10V  
IC=10mA, VCE=10V*  
IC=10mA, VCE=10V, Tamb=-55°C  
IC=150mA, VCE=10V*  
IC=150mA, VCE=1V*  
IC=500mA, VCE=10V*  
300  
300  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
12

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