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FMMDT5451

更新时间： 2024-02-11 23:20:03
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 288K
描述
TRANSISTOR

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FMMDT5451 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
WBFBP-06C Plastic-Encapsulate Transistors  
FMMDT5451 TRANSISTOR  
WBFBP-06C  
(2×2×0.5)  
unit: mm  
DESCRIPTION  
PNP and NPN Epitaxial Silicon Transistor  
FEATURES  
z
z
z
Complementary Pair  
One 5551-Type NPN, One 5401-Type PNP  
Ultra-Small Surface Mount Package  
1
APPLICATION  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,  
DVD-ROM, Note book PC, etc.)  
MARKING: KNM  
KNM  
E1,B1,C1=NPN 5551 Section  
E2,B2,C2=PNP 5401 Section  
5551 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted  
Parameter  
Value  
180  
Units  
V
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
160  
V
6
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
0.2  
A
PC  
0.15  
625  
W
RθJA  
TJ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction Temperature  
K/W  
℃
℃
150  
Tstg  
Storage Temperature range  
-55-150  
5401 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
-160  
-150  
-5  
Units  
Collector- Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
-0.2  
A
PC  
0.15  
625  
W
K/W  
℃
℃
RθJA  
TJ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction Temperature  
150  
Tstg  
Storage Temperature range  
-55-150  
123456

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FMMDT5451-WBFBP-06C CJ

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