FMMD914

更新时间： 2024-01-08 06:50:34

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SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING DIODE

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FMMD914 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.4
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.075 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.33 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.008 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

FMMD914 数据手册

SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED

FMMD914

SWITCHING DIODE

ISSUE 2 - OCTOBER 1995

DIODE PIN CONNECTION

PARTMARKING DETAIL 5D

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_RWM

VALUE

UNIT

Working Peak Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current at

T_amb=25°C

I_F(AV)

Repetitive Peak Forward Current

I_FRM

P_tot

225

330

°C

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT CONDITIONS.

Reverse Breakdown Voltage V_BR

I_R=100µA

Forward Voltage

V_F

I_R

I_F=10mA

Static Reverse Current

V_R=20V

V_R=20V, T_amb=150 °C

µA

Reverse Recovery Time

t_rr

I_F= I_RM=10mA,I_RR=1mA

R_L=100Ω

I_F=10mA,I_RR=1mA, V_R=6V

R_L=100Ω

Total Capacitance

C_T

V_R=0, f=1MHz

Forward Recovery Voltage

Rectification Efficiency

V_FM(REC)

2.5

I_F=50mA, R_L=50Ω

V_R=2V,R_L=5kΩ, C_L=20pF

Z_source=50Ω, f=100MHz

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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FMMD914TA	ZETEX	Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, Silicon,	获取价格
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