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FMMD6100TC

更新时间: 2024-11-11 13:07:47
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捷特科 - ZETEX 整流二极管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon

FMMD6100TC 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.39
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流:0.5 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.005 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

FMMD6100TC 数据手册

 浏览型号FMMD6100TC的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED  
FMMD6100  
SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR  
ISSUE 2 - OCTOBER 1995  
DIODE PIN CONNECTION  
1
2
PARTMARKING DETAIL – 5B  
1
3
2
3
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)  
IF  
VALUE  
70  
UNIT  
V
Breakdown Voltage Voltage (IR=100µA)  
Peak Forward Current  
200  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak Forward Surge Current  
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IFM  
500  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR) 70  
VF  
MAX.  
UNIT CONDITIONS.  
Breakdown Voltage  
Forward Voltage  
V
IR=10µA  
0.5  
0.8  
0.7  
1.1  
V
V
IF=1mA  
IF=100mA  
Reverse Current  
Recovery Time*  
IR  
0.1  
5
VR=50V  
µA  
trr  
ns  
IF= IR=10mA, IR(REC)  
=1.0mA  
Diode Capacitance  
Cd  
2.5  
pF  
VR=0, f=1MHz  
*For switching test circuit diagram see FMMD7000 datasheet  
Spice parameter data is available upon request for this device  

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