FMMD6100TA

更新时间： 2024-01-10 13:49:36

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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon

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FMMD6100TA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.39
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

FMMD6100TA 数据手册

SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED

FMMD6100

SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR

ISSUE 2 - OCTOBER 1995

DIODE PIN CONNECTION

PARTMARKING DETAIL 5B

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)

I_F

VALUE

UNIT

Breakdown Voltage Voltage (I_R=100µA)

Peak Forward Current

200

°C

Peak Forward Surge Current

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_FM

500

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

V_(BR)70

V_F

MAX.

UNIT CONDITIONS.

Breakdown Voltage

Forward Voltage

I_R=10µA

0.5

0.8

0.7

1.1

I_F=1mA

I_F=100mA

Reverse Current

Recovery Time*

I_R

0.1

V_R=50V

µA

t_rr

I_F= I_R=10mA, I_R(REC)

=1.0mA

Diode Capacitance

C_d

2.5

V_R=0, f=1MHz

*For switching test circuit diagram see FMMD7000 datasheet

Spice parameter data is available upon request for this device

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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