是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T5 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 800 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 53 A |
最大漏极电流 (ID): | 53 A | 最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T5 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 300 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FMM1103VJ | ETC | The FMM1103VJ is a GaAs Microwave Static Frequency Divider designed for dividing an input |
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FMM110VJ | ETC | Prescaler/Frequency Divider |
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FMM11DREF | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156 |
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FMM11DREI | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156 |
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FMM11DREN | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156 |
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FMM11DRES | ETC | CONN EDGE DUAL FMALE 22POS 0.156 |
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