5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> FMH20N50E
FMH20N50E PDF预览

FMH20N50E

更新时间： 2024-11-02 10:34:47
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
5页 503K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FMH20N50E 数据手册

 浏览型号FMH20N50E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FMH20N50E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FMH20N50E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FMH20N50E的Datasheet PDF文件第5页 
FMH20N50E  
FUJI POWER MOSFET  
3
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-E series  
Features  
Outline Drawings [mm]  
Equivalent circuit schematic  
Maintains both low power loss and low noise  
Lower RDS(on) characteristic  
TO-3P(Q)  
More controllable switching dv/dt by gate resistance  
Smaller VGS ringing waveform during switching  
Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V)  
High avalanche durability  
Drain(D)  
Gate(G)  
Applications  
Source(S)  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DC converters  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings at Tc=25°C (unless otherwise specified)  
Description  
Symbol  
Characteristics  
Unit  
V
Remarks  
VDS  
500  
500  
Drain-Source Voltage  
VDSX  
V
VGS = -30V  
Continuous Drain Current  
I
I
D
±20  
A
Pulsed Drain Current  
DP  
±80  
A
Gate-Source Voltage  
VGS  
±30  
V
Repetitive and Non-Repetitive Maximum Avalanche Current  
Non-Repetitive Maximum Avalanche Energy  
Repetitive Maximum Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dV/dt  
I
AR  
20  
A
Note*1  
Note*2  
Note*3  
Note*4  
E
E
AS  
AR  
582.5  
23.5  
7.4  
mJ  
mJ  
kV/µs  
A/µs  
dV/dt  
-di/dt  
Peak Diode Recovery -di/dt  
100  
Note*5  
2.5  
Ta=25°C  
Tc=25°C  
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
235  
Operating and Storage  
Temperature range  
T
ch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
-55 to +150  
Electrical Characteristics at Tc=25°C (unless otherwise specified)  
Description  
Symbol  
Conditions  
min.  
typ.  
-
max.  
-
Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
BVDSS  
I
I
D
=250µA, VGS=0V  
=250µA, VDS=VGS  
DS=500V, VGS=0V  
DS=400V, VGS=0V  
GS=±30V, VDS=0V  
500  
V
V
VGS (th)  
D
2.5  
3.0  
-
3.5  
25  
V
V
V
T
ch=25°C  
-
-
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
DSS  
µA  
Tch=125°C  
-
250  
100  
0.31  
-
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
GSS  
-
10  
0.27  
22  
2650  
250  
19  
22  
11  
nA  
Ω
R
DS (on)  
I
I
D
=10A, VGS=10V  
=10A, VDS=25V  
-
g
fs  
D
11  
-
S
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
3980  
375  
28.5  
33  
V
V
DS=25V  
GS=0V  
Output Capacitance  
-
pF  
ns  
f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
-
-
V
V
cc=300V  
GS=10V  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
-
16.5  
180  
31.5  
115.5  
25.5  
33  
I
R
D
=10A  
=10Ω  
td(off)  
tf  
-
120  
21  
77  
17  
G
-
Total Gate Charge  
Q
Q
Q
G
-
Vcc=250V  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
GS  
GD  
I
D
=20A  
-
nC  
VGS=10V  
-
22  
-
Avalanche Capability  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
I
AV  
L=1.07mH, Tch=25°C  
20  
-
-
A
V
VSD  
I
F
=20A, VGS=0V, Tch=25°C  
0.90  
0.5  
7
1.35  
-
trr  
-
µs  
µC  
I
F
=20A, VGS=0V  
-di/dt=100A/µs, Tch=25°C  
Qrr  
-
-
Thermal Characteristics  
Description  
Symbol  
Test Conditions  
Channel to Case  
Channel to Ambient  
min.  
typ.  
max.  
0.532  
50.0  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Rth (ch-c)  
Rth (ch-a)  
Thermal resistance  
Note *1 : Tch≤150°C  
Note *2 : Stating Tch=25°C, IAS=8A, L=16.7mH, Vcc=50V, RG=50Ω  
Note *3 : Repetitive rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to the 'Transient Themal impeadance' graph.  
E
AS limited by maximum channel temperature and avalanche current.  
Note *4 : I  
Note *5 : I  
F
≤-I  
≤-I  
D
, -di/dt=100A/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C.  
, dv/dt=7.4kV/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C.  
See to 'Avalanche Energy' graph.  
F
D
1
12345

中文翻译

下载PDF

与FMH20N50E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMH20N50ES FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
FMH20N60S1 FUJI

获取价格

 		N-Channel enhancement mode power MOSFET
FMH20N60S1FD FUJI

获取价格

 		TO-3P（Q）
FM-H20O472MBPF HITACHI

获取价格

 		Three Phase EMI Filter, 415V, 50/60HzHz,
FMH21N50ES FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
FMH22N60S1 FUJI

获取价格

 		TO-3P(Q)
FMH22N60S1FD FUJI

获取价格

 		TO-3P（Q）
FMH23N50E FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
FMH23N50ES FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures
FMH23N60E FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

与FMH20N50E相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证