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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FMH07N90E
FMH07N90E PDF预览

FMH07N90E

更新时间： 2024-11-02 10:34:47
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 458K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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FMH07N90E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-3P(Q包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
雪崩能效等级（Eas）：396.3 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：145 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FMH07N90E 数据手册

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http://www.fujisemi.com  
FMH07N90E  
FUJI POWER MOSFET  
3
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-E series  
Features  
Outline Drawings [mm]  
Equivalent circuit schematic  
Maintains both low power loss and low noise  
Lower RDS(on) characteristic  
TO-3P(Q)  
More controllable switching dv/dt by gate resistance  
Smaller VGS ringing waveform during switching  
Narrow band of the gate threshold voltage (4.0±0.5V)  
High avalanche durability  
Drain(D)  
Gate(G)  
Applications  
Source(S)  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DC converters  
GATE  
DRAIN  
SOURCE  
JEDEC:TO-3P  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings at Tc=25°C (unless otherwise specified)  
Description  
Symbol  
Characteristics  
Unit  
V
Remarks  
VDS  
900  
900  
Drain-Source Voltage  
VDSX  
V
VGS = -30V  
Continuous Drain Current  
I
I
D
±7  
A
Pulsed Drain Current  
DP  
±28  
A
Gate-Source Voltage  
VGS  
±30  
V
Repetitive and Non-Repetitive Maximum AvalancheCurrent  
Non-Repetitive Maximum Avalanche Energy  
Repetitive Maximum Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dV/dt  
I
AR  
7
A
Note*1  
Note*2  
Note*3  
Note*4  
Note*5  
E
E
AS  
AR  
396.3  
14.5  
2.1  
mJ  
mJ  
kV/µs  
A/µs  
dV/dt  
-di/dt  
Peak Diode Recovery -di/dt  
100  
2.5  
Ta=25°C  
Tc=25°C  
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
145  
T
ch  
150  
°C  
°C  
Operating and Storage Temperature range  
Tstg  
-55 to + 150  
Electrical Characteristics at Tc=25°C (unless otherwise specified)  
Description  
Symbol  
Conditions  
min.  
typ.  
-
max.  
-
Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
BVDSS  
I
I
D
=250µA, VGS=0V  
=250µA, VDS=VGS  
DS=900V, VGS=0V  
DS=720V, VGS=0V  
GS=±30V, VDS=0V  
900  
V
V
VGS (th)  
D
3.5  
4.0  
-
4.5  
25  
250  
100  
2.0  
-
V
V
V
T
ch=25°C  
-
-
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
DSS  
µA  
Tch=125°C  
-
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
GSS  
-
10  
nA  
Ω
R
DS (on)  
I
I
D
=3.5A, VGS=10V  
=3.5A, VDS=25V  
-
1.65  
8.4  
1200  
115  
8.5  
33  
g
fs  
D
4.2  
-
S
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
1800  
175  
13  
V
V
DS=25V  
GS=0V  
Output Capacitance  
-
pF  
ns  
f=1MHz  
cc=600V  
GS=10V  
Reverse Transfer Capacitance  
-
-
53  
45  
165  
45  
59  
15  
V
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
-
32  
V
I
R
D
=3.5A  
=36Ω  
td(off)  
tf  
-
110  
32  
G
-
Total Gate Charge  
Q
Q
Q
Q
G
-
39  
Vcc=450V  
Gate-Source Charge  
GS  
SW  
GD  
-
10  
I
D
=7A  
nC  
Drain-Source Crossover Charge  
Gate-Drain Charge  
-
3.6  
15  
5.5  
23  
-
VGS=10V  
-
Avalanche Capability  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
I
AV  
L=5.93mH, Tch=25°C  
7
-
-
A
V
VSD  
I
F
=7A, VGS=0V, Tch=25°C  
0.90  
1.65  
11  
1.35  
-
trr  
-
µS  
µC  
I
F
=7A, VGS=0V  
-di/dt=100A/µs, Tch=25°C  
Qrr  
-
-
Thermal Characteristics  
Description  
Symbol  
Test Conditions  
Channel to case  
min.  
typ.  
max.  
0.862  
50.0  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Rth (ch-c)  
Rth (ch-a)  
Thermal resistance  
Channel to ambient  
Note *1 : Tch≤150°C  
Note *2 : Stating Tch=25°C, IAS=2.8A, L=92.7mH, Vcc=90V, RG=10Ω  
Note *3 : Repetitive rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to the 'Transient Themal impeadance' graph.  
E
AS limited by maximum channel temperature and avalanche current.  
Note *4 : I  
Note *5 : I  
F
≤-I  
≤-I  
D
, -di/dt=100A/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C.  
, dv/dt=2.1kV/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C.  
See to 'Avalanche current' graph.  
F
D
1
12345

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