是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-3P(Q | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.74 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW NOISE |
雪崩能效等级(Eas): | 396.3 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A |
最大漏极电流 (ID): | 7 A | 最大漏源导通电阻: | 2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 145 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FMH09N70E | FUJI |
获取价格 |
TO-3P(Q) |
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FMH09N90E | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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FMH11N70E | FUJI |
获取价格 |
TO-3P(Q) |
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FMH11N90E | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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FMH-12R | SANKEN |
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Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes |
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FMH13N60ES | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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FMH13N60S1 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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FMH13N80E | FUJI |
获取价格 |
TO-3P(Q) |
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FMH15N60S1 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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FM-H15O672MBPF | HITACHI |
获取价格 |
Three Phase EMI Filter, 415V, 50/60HzHz, |
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