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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMG9A
FMG9A PDF预览

FMG9A

更新时间： 2024-02-29 06:47:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
Emitter common (dual digital transistors)

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FMG9A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.48其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e1
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FMG9A 数据手册

 浏览型号FMG9A的Datasheet PDF文件第2页 
EMG9 / UMG9N / FMG9A  
Transistors  
Emitter common  
(dual digital transistors)  
EMG9 / UMG9N / FMG9A  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Two DTC114E in a EMT or UMT or SMT package.  
2) Mounting cost and area can be cut in half.  
EMG9  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
(
(
)
)
4
5
1.2  
1.6  
!Structure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
(Built-in resistor type)  
Each lead has same dimensions  
ROHM  
: EMT5  
Abbreviated symbol : G9  
UMG9N  
The following characteristics apply to both the DTr1 and  
DTr2.  
1.25  
2.1  
!Equivalent circuit  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
EMG9 / UMG9N  
FMG9A  
(3)  
(4)  
(5)  
(3)  
(2)  
(1)  
R
1
=10kΩ  
=10kΩ  
R
1
=10kΩ  
=10kΩ  
ROHM  
EIAJ  
:
UMT5  
R
1
R1  
R1  
R1  
R2  
R2  
:
SC-88A  
R
2
R2  
R
2
R2  
DTr2  
DTr1  
DTr2  
DTr1  
Abbreviated symbol : G9  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)/(6)  
FMG9A  
1.6  
2.8  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
Supply voltage  
V
CC  
50  
40  
V
ROHM  
EIAJ  
:
SMT5  
:
SC-74A  
Input voltage  
VIN  
V
−10  
50  
Abbreviated symbol : G9  
I
O
Output current  
mA  
I
C (Max.)  
100  
1
∗
2
∗
EMG9, UMG9N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
Power  
dissipation  
Pd  
mW  
FMG9A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55∼+150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
12

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与FMG9A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMG9AT148 ROHM

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 		NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
FMGA-461 CRANE

获取价格

 		EMI INPUT FILTER 28 VOLT INPUT SURFACE MOUNT
FMGA-461 CRANE

获取价格

 		EMI INPUT FILTER 28 VOLT INPUT SURFACE MOUNT
FMGA-461/883 CRANE

获取价格

 		EMI INPUT FILTER 28 VOLT INPUT SURFACE MOUNT
FMGA-461/883 CRANE

获取价格

 		EMI INPUT FILTER 28 VOLT INPUT SURFACE MOUNT
FMGA-461/ES CRANE

获取价格

 		Data Line Filter, 18 Pin(s), Metal,
FMGA-461Z/883 CRANE

获取价格

 		Data Line Filter, 18 Pin(s), Metal,
FMGA-461Z/ES CRANE

获取价格

 		EMI INPUT FILTER 28 VOLT INPUT SURFACE MOUNT
FMG-G26S SANKEN

获取价格

 		Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes
FMG-G26S ALLEGRO

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220, TO-220F, 2 PIN

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