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FMG8AT149

更新时间: 2024-02-05 02:15:19
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罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

FMG8AT149 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.77其他特性:DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):80
JESD-30 代码:R-PDSO-G5JESD-609代码:e3/e2
元件数量:2端子数量:5
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN/TIN COPPER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

FMG8AT149 数据手册

 浏览型号FMG8AT149的Datasheet PDF文件第2页 

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